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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIHFI510G_V01 | Power MOSFET 文件：1.07947 Mbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-23 16:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VBsemi |
24+ |
TO220F |
18000 |
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VISHAY/威世 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
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VBsemi |
25+ |
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VISHAY/威世 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO-220FP |
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VB |
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SIHFI510G_V01规格书下载地址
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