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IRFI510G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Power MOSFET

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更新时间:2026-3-4 19:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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