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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIHF12N50C | Power MOSFET FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHF12N50C | Power MOSFETs FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHF12N50C | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.038089 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
SIHF12N50C | Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Power MOSFETs FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET 文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET 文件：274.74 Kbytes Page：13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
12 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N50 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanch | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching • FEATURES • Drain Current ID= 12A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) • Fast Switching •APPLICATIONS •Switch mode power supply. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFETs FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
12A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：167.59 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.039369 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
SIHF12N50C产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHF12N50C
- 功能描述
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
32360 |
VISHAY/威世全新特价SIHF12N50C-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
vishay原装 |
25+23+ |
TO-220F |
22495 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
6000 |
只做原装假一赔十 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-220F |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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