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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHB23N60E-GE3 | E Series Power MOSFET 文件：217.88 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
E Series Power MOSFET 文件：171.77 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIHB23N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB23N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
20 V
- 漏极连续电流
23 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.158 Ohms
- 配置
Single
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
D2PAK-3
- 封装
Bulk
更新时间：2025-11-21 14:04:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-12-3
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