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SIHB23N60E-GE3中文资料

厂家型号

SIHB23N60E-GE3

文件大小

217.88Kbytes

页面数量

9

功能描述

E Series Power MOSFET

MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

数据手册

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生产厂商

Vishay Siliconix

简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

LOGO

SIHB23N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB23N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    20 V

  • 漏极连续电流

    23 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.158 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    D2PAK-3

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-5-20 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay Siliconix
24+
D2PAK(TO-263)
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
VISHAY
2024+
N/A
70000
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VISHAY
20+
TO-263
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Vishay(威世)
24+
NA/
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Vishay Siliconix
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D2PAK(TO-263)
56303
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20+
TO-263
7500
现货很近!原厂很远!只做原装
VISHAY/威世
24+
TO-263
990000
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY/威世
24+
TO-263
9600
原装现货,优势供应,支持实单!

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  • VPC
  • VPT

Vishay Siliconix 威世科技半导体

中文资料: 346324条

Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗