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SIHB23N60E-GE3中文资料

厂家型号

SIHB23N60E-GE3

文件大小

217.88Kbytes

页面数量

9

功能描述

E Series Power MOSFET

MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIHB23N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB23N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    20 V

  • 漏极连续电流

    23 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.158 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    D2PAK-3

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-10-6 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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