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SIHB12N60E-GE3价格
参考价格：￥5.9958
型号：SIHB12N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHB12N60E-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB12N60E-GE3批发/采购报价，SIHB12N60E-GE3行情走势销售排行榜，SIHB12N60E-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHB12N60E-GE3 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.038119 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
E Series Power MOSFET 文件：178.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：179.33 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：171.05 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIHB12N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB12N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
17048 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
VISHAY |
14+ |
TO-263 |
583 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY/威世 |
14+ |
TO-263 |
583 |
||||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-263-3 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
|||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
27128 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY/威世 |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263-3 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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2019-12-3
DdatasheetPDF页码索引
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