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位置：SIHP12N60E-GE3 > SIHP12N60E-GE3详情

SIHP12N60E-GE3中文资料

SIHP12N60E-GE3
厂家型号

SIHP12N60E-GE3
文件大小

171.05Kbytes
页面数量

8页
功能描述

E Series Power MOSFET

MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
简称

VISHAY【威世科技】

生产厂商

Vishay Siliconix
中文名称

官网

相近规格书

SIHP12N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHP12N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SIHP12N60E-GE3供应商...

更新时间：2025-10-7 13:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SIHP12N60E-GE3 价格

参考价格：￥6.5958

型号：SIHP12N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHP12N60E-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHP12N60E-GE3批发/采购报价，SIHP12N60E-GE3行情走势销售排排榜，SIHP12N60E-GE3报价。

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