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SIHB12N60E-GE3中文资料
SIHB12N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB12N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-22 16:41:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
17048 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
Vishay Siliconix |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
583 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
27128 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHY |
23+ |
TO263 |
90000 |
一定原装房间现货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
VISHY |
1407 |
TO263 |
6000 |
普通 |
|||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263-3 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
VISHAY |
20+ |
TO-263 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
SIHB12N60E-GE3 价格
参考价格：￥5.9958
型号：SIHB12N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHB12N60E-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB12N60E-GE3批发/采购报价，SIHB12N60E-GE3行情走势销售排排榜，SIHB12N60E-GE3报价。
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VBSEMI相关电路图
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
