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SIA907EDJT-T4-GE3

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package - Small footprint area - Low on-resistance • Typical ESD protection: 1500 V HBM • High speed switching • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLI

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-24 20:00:00
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