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SIA907EDJT-T4-GE3中文资料
SIA907EDJT-T4-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• Thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70
package
- Small footprint area
- Low on-resistance
• Typical ESD protection: 1500 V HBM
• High speed switching
• Material categorization: For definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Charger Switch, Load Switch for Portable Devices
• Battery Management
更新时间：2025-6-20 17:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
|||
VISHAY/威世 |
20+ |
QFN |
331 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
QFN |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN |
10000 |
全新原装现货库存 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
6428 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
VISHAY |
2016+ |
QFN6 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
VISHAY |
2016+ |
QFN6 |
6528 |
只做原装正品现货!或订货 |
|||
VISHAY |
24+ |
QFN |
5000 |
只做原装公司现货 |
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- 1896810000
- 1896820000
- 1896830000
- 1896840000
- 1896850000
- 357-024-425-104
- 357-024-425-107
- 357-024-425-108
- 357-024-425-112
- A2M1CCP6VDC1.62D
- A2M1CCP6VDC1.6D
- A2M1CCP6VDC1.6D1
- A2M1CCP6VDC1.6DR
- A2M1CCP6VDC1.9R
- AZ850P1-12
- AZ850P1-24
- AZ850P1-3
- AZ850P1-4.5
- AZ850P1-5
- AZ850P1-6
- JODY-W3
- JODY-W374
- JODY-W377
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- SIA907EDJT-T1-GE3
VISHAY相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P51
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- P93
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- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 355390条
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起，我们将在几十年内不断发展壮大，达到今天的地位：世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器，Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施，它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位，可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销，我们产生了必要的组件，使发明者和创新者能够创造新一代产品，这些产品跨越许多领域：汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗
