SIA817EDJ-T1-GE3价格

参考价格:¥1.0260

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIA817EDJ-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:365.22 Kbytes Page:12 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIA817EDJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA817EDJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-27 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
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NA
30000
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VISHAY
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VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SC-70-6
9908
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VISHAY/威世
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SC-70-6
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只做原装只有原装假一罚百可开增值税票
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Vishay(威世)
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VISHAY
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世
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PowerPAKSC-70-6
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原装正品,支持实单
ADVANTEST
2024+
QFP/80
50000
原装现货

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