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SIA817EDJ-T1-GE3价格
参考价格：￥1.0260
型号：SIA817EDJ-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIA817EDJ-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA817EDJ-T1-GE3批发/采购报价，SIA817EDJ-T1-GE3行情走势销售排行榜，SIA817EDJ-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIA817EDJ-T1-GE3 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：365.22 Kbytes Page：12 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   |
SIA817EDJ-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA817EDJ-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-13 17:49:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
NA |
16355 |
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