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SIA817EDJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA817EDJ-T1-GE3

文件大小

365.22Kbytes

页面数量

12

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIA817EDJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA817EDJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 15:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SC-70-6
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
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SC-70-6
3675
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18万条库存 一站式配齐

SIA817EDJ-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.0260

型号:SIA817EDJ-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIA817EDJ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA817EDJ-T1-GE3批发/采购报价,SIA817EDJ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIA817EDJ-T1-GE3报价。