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Power switching application

Description The 9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply

GOFORD

谷峰半导体

Dual N-Channel MOSFET

Features 6A, 20 V. rDS(on) = 0.030 @ VGS = 4.5 V 5.2A, 20 V rDS(on) = 0.040 @ VGS = 2.5 V.

TUOFENG

拓锋半导体

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:996.47 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

6A竊?0V Dual N-CHANNEL MOSFET

文件:124.3 Kbytes Page:4 Pages

KIA

可易亚半导体

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件:117.54 Kbytes Page:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-29 20:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • SI9435BDY-T1-E3 ,17年来只做原装货

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    2025-2-15
  • SI9934DY-T1-E3现货经营/实单欢迎洽谈

    焕盛达竭诚为您提供一站式配套服务。当天下单,当天发货;

    2020-9-18
  • SI9945BDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25
  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25