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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 13 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 42 ns
系列: SI9
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SI9435BDY-E3
单位重量: 750 mg
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