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位置：首页 > IC中文资料第613页 > SI9435DY

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI9435DY

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

文件：101.08 Kbytes Page：5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

SI9435DY

P-Channel MOSFET

文件：1.83836 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI9435DY-HF

P-Channel MOSFET

文件：1.86392 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI9435DY-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

9435

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

9435

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

9435

20V P-Channel Increased MOS FET

文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages

FUMAN

富满微

9435

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

9435

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

SI9435DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9435DY

  • 功能描述

    MOSFET SO8 SINGLE PCH

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SI9435DY供应商更多...

更新时间：2025-8-7 17:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
标准国际(香港)有限公司
SI9435DY-T1
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SI9435DY规格书下载地址

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  • SI9435BDY-T1-E3 ，17年来只做原装货

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    2025-2-15

  • SI9182DH-AD-T1

    2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器

    2020-8-24

  • SI9933CDY-T1-GE3原装现货

    瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商

    2020-7-30

  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

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  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25

  • SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器，有了错误标志/上电复位

    特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V（RMS）噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志（电源良好或POR） 固定1.5 V，1.8 V，2.0- V，2.5 V，2.8-2.85- V，2.9 V，3.0 V，3.3 V，5.0- V的，或可调输出电压选项 特别订购

    2013-1-12

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