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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 文件：101.08 Kbytes Page：5 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | ||
P-Channel MOSFET 文件：1.83836 Mbytes Page：4 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
30-V (D-S) Single | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
-30V P MOSFET | JGSEMI 金锆半导体 | | ||
低压MOS管 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
P-Channel MOSFET 文件：1.86392 Mbytes Page：4 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON) | HOTTECH 合科泰 | | ||
SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
20V P-Channel Increased MOS FET 文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | |
SI9435D产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9435D
- 制造商
Vishay Angstrohm
- 功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
SOP8 |
5000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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SILICONIX |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
39711 |
VISHAY/威世全新特价Si9435DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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SI |
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SOP8 |
7000 |
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SI9435DY-T1 |
25+ |
2972 |
2972 |
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SI |
25+ |
8P |
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只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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Bychip |
23+ |
SOP8 |
10000 |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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SI |
25+23+ |
SOP-8 |
67813 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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SILICONI |
25+ |
SOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
SOP-8 |
2500 |
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SI9435D数据表相关新闻
SI9435BDY-T1-E3 ，17年来只做原装货
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2025-2-15SI9182DH-AD-T1
2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器
2020-8-24SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器，有了错误标志/上电复位
特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V（RMS）噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志（电源良好或POR） 固定1.5 V，1.8 V，2.0- V，2.5 V，2.8-2.85- V，2.9 V，3.0 V，3.3 V，5.0- V的，或可调输出电压选项 特别订购
2013-1-12
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