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SI9435BDY价格

参考价格:¥1.0634

型号:SI9435BDY-T1-E3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI9435BDY多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI9435BDY批发/采购报价,SI9435BDY行情走势销售排行榜,SI9435BDY报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI9435BDY

P-Channel Enhancement MOSFET

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KEXIN

科信电子

Si9435BDY

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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威世威世科技公司

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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威世威世科技公司

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

CET

华瑞

Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Features · –5.3 A, –30 V RDS(ON) = 50

FAIRCHILD

仙童半导体

Bipolar Power Transistors

Bipolar Power Transistors PNP Silicon • Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc = 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc • Low Collector –Emitter Sat

MOTOROLA

摩托罗拉

Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Features • –5.3 A, –30 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS

FAIRCHILD

仙童半导体

SI9435BDY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI9435BDY

  • 制造商

    Vishay Angstrohm

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N

  • 制造商

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    MOSFET P SO-8

更新时间:2026-5-20 19:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
DIP14
44
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
SIL
24+/25+
160
原装正品现货库存价优
SILICONIX
96+
DIP/14
700
原装现货海量库存欢迎咨询
SILICONIX
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DIP-14
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2024+
PLCC
50000
原装现货
VISHAY
23+
NA
32587
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品

SI9435BDY芯片相关品牌

SI9435BDY数据表相关新闻

  • SI9435BDY-T1-E3 ,17年来只做原装货

    SI9435BDY-T1-E3 ,17年来只做原装货

    2025-2-15
  • SI9139DG-2515-T1 原装现货 价格优势 数量有限

    公司只做原装 以质量求生存,以诚信谋发展

    2022-6-1
  • SI9182DH-AD-T1

    2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器

    2020-8-24
  • SI9910-自适应功率MOSFET Driver1

    描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料

    2013-2-25
  • SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器

    描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作

    2013-2-25
  • SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器,有了错误标志/上电复位

    特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V(RMS)噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志(电源良好或POR) 固定1.5 V,1.8 V,2.0- V,2.5 V,2.8-2.85- V,2.9 V,3.0 V,3.3 V,5.0- V的,或可调输出电压选项 特别订购

    2013-1-12