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SI3932DV-T1-GE3	Single-channel isolated gate driver IC with adjustable DESAT and soft-off Features • 600 V, 650 V, 900 V, and 1200 V IGBTs, SiC and Si MOSFETs • 40 V absolute maximum output supply voltage • ±3 A, ±6 A, and ±9 A typical sinking and sourcing peak output current • Separate source and sink outputs for hard switching and with active Miller clamp/clamp driver • Adjustme	Infineon 英飞凌	Infineon
SI3932DV-T1-GE3	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI3932DV-T1-GE3	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：131.85 Kbytes Page：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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更新时间：2025-11-21 10:33:00

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2021-11-10
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