制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A, 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms, 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 3.2 nC, 3.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.15 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 5 ns, 7 ns
正向跨导 - 最小值: 4.3 S, 2.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns, 12 ns
系列: SI3
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns, 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 8 ns
零件号别名: SI3552DV-GE3
单位重量: 20 mg
