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SI3456DDV-T1-GE3数据表
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI3
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 15 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
零件号别名: SI3456DDV-GE3
单位重量: 20 mg
