制造商 VISHAY/威世
系列 TrenchFET?
包装 带卷（TR）剪切带（CT）
零件状态 有源
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15.5 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss） 20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 90nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2380pF @ 10V
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