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SI3909DV-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3909DV-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1.8A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 17:15:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
只做原装
24+
sot23-6
36520
一级代理/放心采购
VISHI
25+
sot23-6
860000
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY
23+
SOT23-6
30000
原装正品,假一罚十
VISHI
19+
sot23-6
20000
22000
VISHAY/威世
25+
SOT23-6
39526
VISHAY/威世全新特价SI3909DV-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY
20+
TSOP-6
2960
诚信交易大量库存现货
NK/南科功率
2025+
TSOP-6
986966
国产
VISHAY/威世
24+
TSOP-6
60000
全新原装现货
VISHI
24+
sot23-6
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
VISHAY/威世
23+
TSOP-6
50000
全新原装正品现货,支持订货

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