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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3456BDV-T1-E3 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
SI3456BDV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3456BDV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 30V 5.1A 2W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-1-31 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2026+ |
SOT163 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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Vishay(威世) |
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开13点增值税票， 货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-12-13SI3456DDV-T1-GE3原装现货/长期供应
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2019-9-3
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