制造商 Vishay Siliconix
数据列表 SI3443BDV
标准包装 3000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET?
其它名称 SI3443BDV-T1-E3TR
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
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