位置：首页 > IC中文资料第825页 > SI3451DV-T1-E3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3451DV-T1-E3 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   |
SI3451DV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3451DV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 20V 2.8A 2.1W 115 mohms @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-18 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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2019-9-3
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