型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SI3443DVTRPBF

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
SI3443DVTRPBF

UltraLowOn-Resistance

文件:114.67 Kbytes Page:7 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DESCRIPTION AM3443CisavailableinaSOT26package. FEATURES 5.6A, R DS(ON)ON)=45mΩ(max.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=66mΩ(max.)@VGS2.5V R DS(ON)ON)=104mΩ(max.)@VGS1.8V 100UIS+RgTested ReliableandRugged SuperHighDenseCellDesign Availabl

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

RadialLeadPowerChokes

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API

API Delevan Inc.

API

Analog-to-DigitalConverter

文件:3.58533 Mbytes Page:83 Pages

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

Analog-to-DigitalConverter

文件:3.58533 Mbytes Page:83 Pages

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

Analog-to-DigitalConverter

文件:3.58533 Mbytes Page:83 Pages

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

SI3443DVTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3443DVTRPBF

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 11nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-24 10:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IRC
1535+
261
IR
21+
TSOP-6
9866
IR
19+
SOT23-6
29600
绝对原装现货,价格优势!
IR
23+
SOT-23
8000
原装正品
IR
2019+PB
TSOP-6
6000
原装正品 可含税交易
IR
22+
TSOP6
9000
原装正品
IR
22+
TSOP-6
354000
Infineon/英飞凌
22+
TSOP6
2985
只做原装自家现货供应!
IR
22+23+
TSOP6
17390
绝对原装正品全新进口深圳现货
InfineonTechnologies
2022+
24000
全新原装 货期两周

SI3443DVTRPBF芯片相关品牌

  • AMPHENOL
  • CK-COMPONENTS
  • DDK
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