型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

文件:1.21044 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

120 W, RF Power GaN HEMT

文件:1.21044 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

120 W, RF Power GaN HEMT

文件:1.21044 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

更新时间:2026-1-3 8:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
23+
射频
7000
CREE
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
CREE/科锐
24+
SMD
15448
郑重承诺只做原装进口现货
CREE
25+
RFMOSFET
16850
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单
CREE
24+
NA/
100
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
CREE
2023+
RFMOSFET
6853
十五年行业诚信经营,专注全新正品
CORNELLDUBILIER-CDE
25+
Bulk
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Cree
25+23+
BGA
19489
绝对原装正品全新进口深圳现货
CREE
23+
N/A
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
CREE/科锐
2447
20
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

SI-40120-F数据表相关新闻

  • SI3552DV-T1-GE3 封装SOT23-6 N+P 30V MOS场效应管

    SI3552DV-T1-GE3

    2022-4-20
  • Si3933

    Si3933,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

    2021-11-10
  • SI4355-B1A-FM

    深圳市科恒伟业电子有限公司 联系人:柯小姐 联系电话:18571346077(微信同号) 邮 箱:1728838861@qq.com 公司座机:0755-88917652 /82569753 公司网站:http://www.kehengweiyedz.cn 公司地址:深圳市福田区振兴路101号华匀大厦2栋5楼516室

    2021-3-19
  • SI4403CDY-T1-GE3原厂很远现货很近

    焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务,解决您的BOM表采购之痛,让您采购无忧!

    2021-1-28
  • SI4403CDY-T1-GE3百分百原装现货

    焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务,解决您的BOM表采购之痛,让您采购无忧!

    2021-1-9
  • si3457cdv-t1-ge3原厂原装

    深圳市拓亿芯电子有限公司,本公司具备一般纳税人,可开13点增值税票, 货源渠道保证原厂原装正品IC,诚信为本,薄利多销。

    2019-12-13