型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

Generalpurposeinverters

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JSMC

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

1200V,20ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

1200V,20ATrenchIGBT

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

SGH20N120RUFTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGH20N120RUFTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-7 16:08:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HARRIS/哈里斯
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原装

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