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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGF40N60UFTU | 封装/外壳：TO-3P-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 40A 100W TO3PF 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
IGBT 文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
SuperJunctionFREDFET 文件：191.93 Kbytes Page：5 Pages | ADPOW Advanced Power Technology |  | | |
SuperJunctionFREDFET 文件：317.04 Kbytes Page：5 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  | |
SGF40N60UFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGF40N60UFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
4171 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
JST |
21+ |
标准封装 |
300 |
保证原装正品,需要请联系张小姐13544103396 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
04+ |
TO-247F |
921 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-3PF |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
FSC |
23+ |
TO-247F |
3421 |
原厂原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-247F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
FSC |
22+23+ |
TO-3P |
28235 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2022 |
TO-247F |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
FSC |
24+ |
TO-247F |
921 |
只做原装进口!正品支持实单! |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247F |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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