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SFT12晶体管资料

  • SFT120别名：SFT120三极管、SFT120晶体管、SFT120晶体三极管

  • SFT120生产厂家：

  • SFT120制作材料：Ge-PNP

  • SFT120性质：高频放大 （AH）

  • SFT120封装形式：直插封装

  • SFT120极限工作电压：25V

  • SFT120最大电流允许值：0.01A

  • SFT120最大工作频率：<1MHZ或未知

  • SFT120引脚数：3

  • SFT120最大耗散功率：0.12W

  • SFT120放大倍数：

  • SFT120图片代号：C-36

  • SFT120vtest：25

  • SFT120htest：999900

  • SFT120atest：0.01

  • SFT120wtest：0.12

  • SFT120代换 SFT120用什么型号代替：3AG95C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SFT12

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12

1.0 AMP_Super Fast Rectifiers

文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT1201

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications

High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers

SANYO

三洋

SFT1202

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications

High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, mot

SANYO

三洋

SFT1202

Bipolar Transistor

Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive

ONSEMI

安森美半导体

SFT1202

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.165V(Max)( IC= 1A; IB= 0.1A) • Fast -Switching speed • High allowable power dissipation • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • DC/DC converter •

ISC

无锡固电

SFT1202-E

Bipolar Transistor

Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive

ONSEMI

安森美半导体

SFT1202-TL-E

Bipolar Transistor

Bipolar Transistor 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA Features • Adoption of FBET, MBIT process • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • High allowable power dissipation Applications • DC / DC converter, relay drive

ONSEMI

安森美半导体

SFT1202

Bipolar Transistor, 150V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA

ONSEMI

安森美半导体

SFT1202-TL-E

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 150V 2A TPFA 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

SFT1250LH

120V N-channel Power MOSFET

ETC

知名厂家

SFT12G

35ns, 1A, 100V, Super Fast Recovery Rectifier

TSC

台湾半导体

SFT12G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：62.78 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

1.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：286.29 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：377.74 Kbytes Page：4 Pages

TSC

台湾半导体

SFT12G

封装/外壳：T-18，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

TSC

台湾半导体

SFT12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SFT12

  • 功能描述

    整流器 1A,100V,35NS, SUPER FAST Rect

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 产品

    Standard Recovery Rectifiers

  • 反向电压

    100 V

  • 恢复时间

    1.2 us

  • 正向连续电流

    2 A

  • 最大浪涌电流

    35 A 反向电流

  • IR

    5 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-221AC

  • 封装

    Reel

SFT12供应商更多...

更新时间：2025-11-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
SFT1202-TL-E
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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    2021-6-23

  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6

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    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围

    2013-3-15

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