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60V N-Channel Power Mosfet

Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test

UMW

友台半导体

60V N-Channel Power Mosfet

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit

EVVOSEMI

翊欧

60V N-Channel Trench MOSFET

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SEMIHOW

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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    优势渠道

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  • SFR03EZPF1002

    製造商: ROHM Semiconductor 產品類型: 厚膜電阻器 - SMD RoHS: 詳細資料 封裝: Cut Tape 封裝: MouseReel 封裝: Reel 系列: SFR 電阻: 10 kOhms 額定功率: 100 mW (1/10 W) 耐受性: 1 %_ 溫度系數: 100 PPM / C 最低工作溫度: - 55 C 最高工作溫度: + 155 C 額定電壓: 50 V 外殼代碼 - in: 06

    2021-7-1