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ME35N06

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

ME35N06

MOSFET

Forcemos

力士科技

MOSFET

Forcemos

力士科技

MOSFET

Forcemos

力士科技

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

60V N-Channel Power Mosfet

Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test

UMW

友台半导体

60V N-Channel Power Mosfet

General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit

EVVOSEMI

翊欧

60V N-Channel Trench MOSFET

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SEMIHOW

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-29 23:01:00
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    ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅:一七五五二三二五七五 /企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

    2021-5-30
  • ME431AXG

    属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压(最小值/固定) 2.5V 输出电流 100mA 输出电压(最大值) 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器

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  • ME6203A33PG

    ME6203A33PG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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