| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ME35N06 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.44 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31383 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
60V N-Channel Power Mosfet Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Switching Low ON Resistance(Rdson≤29mΩ) Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances 100 Single Pulse avalanche energy Test | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | | ||
60V N-Channel Power Mosfet General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON),23 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),30 mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Fast Swit | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
60V N-Channel Trench MOSFET 文件：812.36 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：973.99 Kbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-5-30ME431AXG
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2019-9-7
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