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SE01P13K

P MOSFET

SINO-IC

光宇睿芯微

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P13I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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更新时间:2025-12-29 12:37:00
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SOT89-EB丝印
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