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NCE01P13I

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P13I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE01P13I

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

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NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCEPOWER

新洁能

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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  • NCE01P13K

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A 功率(Pd) 40W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

    2021-10-16
  • NCE01P18D

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    2021-8-11
  • NCE01P18

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    2021-8-11
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  • NCE01H21TC

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