| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LCE01P13K | LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10489 Mbytes Page：6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
LCE01P13K | MOSFET场效应管 | LEIDITECH 雷卯电子 | | |
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P13I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A RDS(ON) | NCEPOWER 新洁能 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：348.57 Kbytes Page：7 Pages | NCEPOWER 新洁能 | | ||
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：407.15 Kbytes Page：7 Pages | NCEPOWER 新洁能 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DO201 |
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SIRECT |
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SOD123 |
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LITTLEFUSE |
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VishayLittelfuse |
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DO-201 |
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LITTELFUSE |
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VISHAY |
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2019-7-19LCMXO1200C-3TN144C，lattice专业户，现货支持
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2019-7-2
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