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Double-Ended Cordsets

BCC M323-M423-3E-300-PX0334-015

Balluff

巴鲁夫

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET

文件:176.74 Kbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

Low Profile DIP Switches

文件:157.2 Kbytes Page:3 Pages

CK-COMPONENTS

力特

Low Profile DIP Switches

文件:283.43 Kbytes Page:3 Pages

ITT

更新时间:2025-11-1 8:18:01
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