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BCC03H1

Double-Ended Cordsets

BCC M323-M423-3E-300-PX0334-015

Balluff

巴鲁夫

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

Low Profile DIP Switches

文件:157.2 Kbytes Page:3 Pages

CK-COMPONENTS

Low Profile DIP Switches

文件:283.43 Kbytes Page:3 Pages

ITT

更新时间:2025-8-11 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Chilisin/奇力新
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51000
原厂代理 终端免费提供样品
HILISIN
09+
SMD
32000
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