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RJK03H1DPA中文资料

厂家型号

RJK03H1DPA

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功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK03H1DPA数据手册规格书PDF详情

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

• Pb-free

• Halogen-free

RJK03H1DPA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03H1DPA

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-10-5 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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