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RJP60F4DPM中文资料

厂家型号

RJP60F4DPM

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7

功能描述

600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP60F4DPM数据手册规格书PDF详情

Features

● Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25°C)

● Trench gate and thin wafer technology

● High speed switching

RJP60F4DPM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60F4DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-14 14:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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