位置：RJP60D0DPM > RJP60D0DPM详情
RJP60D0DPM中文资料
RJP60D0DPM数据手册规格书PDF详情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)
Gate to emitter voltage rating 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
RJP60D0DPM产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJP60D0DPM
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
POWER MODULE - LEAD FREE - Rail/Tube
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
TO-3P |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
RENESAS |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
RJP60D0DPM 资料下载更多...
RJP60D0DPM 芯片相关型号
RENESAS相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
中文资料: 116374条
瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）是一家全球领先的半导体解决方案供应商，总部位于日本东京。公司成立于2002年，由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成，专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案，广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器（MCUs）、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力，提供车载MCU、传感器和网络解决方案，支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构，产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区，致力于为
