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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Gate to emitter voltage rating 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
更新时间：2025-10-14 14:58:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
TO-3P |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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RENESAS |
25+ |
TO-220 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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RENESAS/瑞萨 |
TO-3P |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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