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厂家型号	RJP60D0DPP-M0
文件大小	85.11Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

 Short circuit withstand time (5 s typ.)

 Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

 Gate to emitter voltage rating 30 V

 Pb-free lead plating and chip bonding

RJP60D0DPP-M0供应商...

更新时间：2021-9-14 10:50:00

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