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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
Gate to emitter voltage rating 30 V
Pb-free lead plating and chip bonding
RJP60D0DPK产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJP60D0DPK
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
更新时间：2025-10-14 14:58:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
TO-3P |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-3P |
842 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-3P |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-3P |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
TO-3P |
842 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-3P |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
842 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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