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NE3210S01中文资料

厂家型号

NE3210S01

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197.14Kbytes

页面数量

18

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE3210S01数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

• Gate Length: Lg £ 0.20 mm

• Gate Width : Wg = 160 mm

NE3210S01产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3210S01

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-10 14:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
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NE3210S01-T1B原装特价 射频结栅场效应晶体管 13.5 dB N-Channel
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