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NE3210S01-T1中文资料

厂家型号

NE3210S01-T1

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16

功能描述

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

数据手册

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生产厂商

NEC

NE3210S01-T1数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm

• Gate Width : Wg = 160 µm

NE3210S01-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3210S01-T1

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

更新时间:2025-11-26 22:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞