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NE3210S01-T1中文资料

厂家型号

NE3210S01-T1

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62.71Kbytes

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16

功能描述

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

数据手册

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简称

NEC瑞萨

生产厂商

Renesas Electronics America

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

LOGO

NE3210S01-T1数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm

• Gate Width : Wg = 160 µm

NE3210S01-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3210S01-T1

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET

更新时间:2025-8-2 13:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社

中文资料: 17181条

Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社(Renesas Electronics Corporation)在美国的分支机构,专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年,是全球领先的半导体制造商,致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案,广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力,致力于不断推动产品性能和能效的提升,以满足客户在智能化和数字化时代的需求。