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NE3210S01-T1B数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg £ 0.20 mm
• Gate Width : Wg = 160 mm
NE3210S01-T1B产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3210S01-T1B
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
17+ |
SMT86 |
3089 |
全新原装公司现货
|
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Renesas |
23+ |
SMT86 |
1749 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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Renesas |
23+ |
SMT86 |
11143 |
全新原装正品现货可开票 |
|||
Renesas |
24+ |
SMT-86 |
40000 |
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本) |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SMT86 |
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10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
Renesas |
24+ |
SMD |
40000 |
长期供应原装现货实单可谈 |
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RENESAS |
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SMT86 |
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RENESAS |
23+ |
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30000 |
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65300 |
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- NE329S01
- NE329S01-T1
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Datasheet数据表PDF页码索引
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- P100
- P101
- P102
Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为