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2SJ605-ZJ中文资料

厂家型号

2SJ605-ZJ

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ605-ZJ数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

• Built-in gate protection diode

2SJ605-ZJ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ605-ZJ

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-10-4 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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