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2SJ605中文资料

厂家型号

2SJ605

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219.41Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOS Field Effect Transistors

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ605数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

• Built-in gate protection diode

2SJ605产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ605

  • 制造商

    KEXIN

  • 制造商全称

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述

    MOS Field Effect Transistors

更新时间:2025-10-5 17:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
13+P
TO-263
548
深圳原装进口无铅现货
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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原厂封装
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10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
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只做原厂渠道 可追溯货源
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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