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精确

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DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

• Built-in gate protection diode

2SJ605-Z供应商...

更新时间：2025-10-7 14:00:00

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