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2SJ605-S中文资料

厂家型号

2SJ605-S

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ605-S数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SJ605 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –33 A)

RDS(on)2 = 31 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –33 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 A)

• Built-in gate protection diode

2SJ605-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ605-S

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-10-4 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
13+PBF
TO-263
300
优势
RENESAS
13+
TO-263
300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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25+
TO-263
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
2511
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300
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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23+
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Renesas(瑞萨)
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RENESAS/瑞萨
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